走査型オージェ電子分光分析装置<AES・SAM>

概要

  電子ビームを試料に照射し、発生するオージェ電子を検出することにより、表面から数nmの極薄い層に存在する元素を確認することができる。電子ビームは細く絞ることが可能なため、微少領域の分析や、面内の元素分布を得ることができる。また、アルゴンイオンを用い、表面を削りながら(スパッタリング)分析する事により、深さ方向の元素分布を得ることが可能。

原理

用途

金属材料

• 表面酸化、不働態化評価
• めっき層の状態
• 腐食現象の解析
• 粒界偏析、拡散

電気・電子材料

• 薄膜の構造評価
• 多層膜の界面組成・拡散状態評価
• 接点不良解析
• 超格子の規則構造
• ボンディングの不良箇所

分析事例(1) 「LSI上粒子の分析」

  SEM像でLSI表面に粒子状異物が存在する。この粒子状異物の定性分析を行った。

分析事例(2) 「多層膜試料の深さ方向分析」

高度計測センター
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