公益財団法人神奈川科学技術アカデミー

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光学多層薄膜上の異常部の解析

 

事例

光学多層薄膜上に突起のような異常部が
確認された。原因について調査したい。

 

 

使用機器

集束イオンビーム装置(FIB-SEM/EDS)

 

 

測定例

光学多層薄膜の表面
光学多層薄膜の表面を確認
 
試料:SiO2(基板)/TiO2/SiO2/TiO2/SiO2・・・
成膜方法:PVD
※SEM観察のためPtをコート済み
 
光学多層薄膜の表面
→ 異常部をSEMで観察。
 
光学多層薄膜上の異常部の元素分析
光学多層薄膜上の異常部の元素分析
→ 1、2に明瞭な違い無し。内部に問題か??
 

異常部をFIBにて断面加工

異常部をFIBにて断面加工

→ 異常部の最下層に異物を発見!!

 
異常部断面の元素分析(面分析)
 
Acc:6kV
View Angle:54°

異常部断面の元素分析(面分析)

成膜前の基板上の異物が原因と考えられる

 

納期予定

サンプル到着後、1週間から10日で結果速報。 

 

利用料金項目

項目 単位 数量
試料前処理 処理時間30分につき 1
集束イオンビーム装置(FIB-SEM)  FIB 1時間以内 1
追加1時間あたり 1
 SEM 1試料1視野観察につき 1
同一試料において1視野追加観察につき 4
 EDS 面分析1視野につき(5元素まで) 1
面分析1元素追加につき 1

高度計測センター
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